為了確保TDK的積層貼片陶瓷片式電容的錫面精整并避免形成錫晶須，他們采取了多種措施。首先，他們使用致密的Ni層屏障來防止電極中的Cu成分向Sn膜層擴散。這是因為在電極與Sn膜之間的界面上，Cu會與Sn反應形成Cu-Sn合金，導致被膜應力增大，進而促使錫晶須的形成。為了防止這種情況的發生，TDK選擇了使用致密的Ni層作為屏障，有效隔離了Cu與Sn之間的直接接觸。

此外，TDK還選擇了使用無光澤的Sn電鍍液。一般來說，電鍍液可以分為有光澤和無光澤兩種類型。有光澤的電鍍液通常含有有機添加劑成分，這些成分會在共析過程中產生引張應力，進而促使錫晶須的形成。而無光澤電鍍液則不含這些有機添加劑，因此不會產生引張應力，有助于減少錫晶須的形成。

通過這些措施，TDK成功地確保了積層貼片陶瓷片式電容的錫面精整，并有效地避免了錫晶須的產生。這些改進措施不僅提高了電容器的品質和可靠性，也滿足了電子設備對于高精度、高性能電容的需求。

以上內容已經詳細闡述了TDK的積層貼片陶瓷片式電容如何確保錫面精整而不會形成錫晶須。這一過程是精密且嚴謹的，體現了TDK對于產品質量的追求和堅持。

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